2016年我国存储器行业现状分析

存储器广泛应用于计算机、消费电子、网络存储、物联网、国家安全等重要领域，是一种重要的、基础性的产品。2015年国内集成电路市场超过 10000 亿，其中存储器的市场总额（包括逻辑芯片中的存储器）超过 6100 亿元，市场空间巨大。

存储器领域的基本类型

存储器芯片领域，主要分为两类：易失性和非易失性。易失性：断电以后，存储器内的信息就流失了，例如 DRAM，电脑中的内存条。非易失性：断电以后，存储器内的信息仍然存在，主要是闪存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要应用于代码存储介质中，而 NAND 则用于数据存储。在整个存储器芯片里面，主要有的三种产品是：DRAM、NOR FLASH 和 Nand FLASH。

2016年第一季度 Nand FLASH 市场结构

DRAM市场上主要由三星、海力士和美光三大巨头垄断，占比达到 90%以上。从 Nand FLASH 市场来讲，2016 年第一季度，三星占了 35.1%，所占市场份额很大。整个存储器芯片里面，三星所占市场份额是最大的，目前在市场上主导地位的是闪存（flash memory）。当工艺线宽小于 16nm 的时候，传统闪存面临着一定的物理极限。主要的问题：1、可靠性问题。工艺线宽尺寸小于 16nm 时，厚度逐渐下降，可靠性存在问题，可靠性限制了存储器单层的厚度。2、当然那还有构造问题。3、擦写速度慢。4、有效的擦写次数。

传统闪存继续发展面临的技术瓶颈

三星

2008年基于90nm工艺制备512Mb相变存储器芯片； 2011年基于58nm工艺制备1Gb相变存储器芯片；2012 年基于 20nm 工艺制备 8Gb 相变存储器芯片；2014 年发布相变存储器的产业报告。

三星在相变存储器领域的布局

美光

2009 年基于 45nm 工艺制备1Gb 相变存储器芯片； 2011 年发布第一款基于相变存储器的 SSD；2013 年基于 45nm 工艺 1Gb 相变存储器芯片实现量产；2015 年联合 Intel发布 3D Xpoint。

美光在相变存储器领域的布局

意法半导体

2009 年联合恒亿共同发布 90nm 工艺 4Mb 嵌入式相变存储器芯片；2010 年，发布了通过材料改性工程 N-GeTe 实现更好的热稳定性及数据保持；2013 年，发布了通过材料改性工程 N-Ge-GST实现 SET与高低组保持的性能平衡。

意法半导体在相变存储器领域的布局

IBM

2011 年 IBM发布了多值的相变存储器操作算法，然后推出了基于 MIEC 材料选通的多层crosspoint存储器。 2014年IBM发布了6位多值存储电阻漂移的算法解决办法， 2016年发布多值相变存储器，进入 90nm 工艺。

IBM在相变存储器领域的布局

国际其他产家，包括英特尔、台积电等都有在其中做过相关工作。

国际其他厂商在相变存储器领域的布局