我国第三代半导体市场规模将保持高速增长

　　赛迪顾问股份有限公司、新材料产业研究中心近日发布的《2020“新基建”风口下第三代半导体应用发展与投资价值白皮书》认为，在5G、新能源汽车、绿色照明、快充等新兴领域蓬勃发展及国家政策大力扶持的双重驱动力下，我国第三代半导体衬底材料和半导体器件市场继续保持高速增长。预计未来3年中国第三代半导体衬底材料市场规模仍将保持20%以上的平均增长速度，到2022年将达到15.21亿元；第三代半导体器件市场规模将达到608.21亿元，增长率达到78.4%。

　　数据显示，2019年，我国第三代半导体衬底材料市场规模达到7.86亿元，同比增长31.7%；第三代半导体器件市场规模达到86.29亿元，增长率达到99.7%。

　　白皮书认为，“新基建”一端连接着不断升级的消费市场，另一端连接着飞速发展的科技创新。其中，5G基建、新能源汽车充电桩、特高压及轨道交通四大领域的关键核心都与第三代半导体技术的发展息息相关：以GaN为核心的射频半导体，支撑着5G基站建设；以SiC为核心的功率半导体，支撑着新能源汽车充电桩、特高压以及轨道交通系统的建设。未来，以GaN和SiC为首的第三代半导体将成为支持“新基建”的核心材料。

　　目前，我国对于第三代半导体材料的投资热情势头不减。赛迪顾问整理统计，2019年共17个增产（含新建和扩产）项目（2018年6个），已披露的投资扩产金额达到265.8亿元（不含光电），较2018年同比增长60%。其中2019年SiC领域投资事件14起，涉及金额220.8亿元。GaN领域投资事件3起，涉及金额45亿元。在“新基建”的引领下，第三代半导体产业将成为未来半导体产业发展的重要引擎。

　　白皮书认为，国内半导体企业应当把握“新基建”带来的新机遇。我国第三代半导体处于成长期，仍需要大规模资金投入、政策扶持，加大GaN、SiC的大尺寸单晶衬底的研发。此外，大尺寸单晶衬底的量产有助于降低器件成本、提高化合物半导体市场渗透率。（记者 李洋）

　　 　　转自：中国高新技术产业导报