2017年中国存储器价格走势分析及预测

　　终端、云端应用增长爆炸，存储器销售额预计增长 58%，达 1220 亿美元。终端方面，手机存储升级、PC 固态硬盘渗透率提升是拉动需求主因。2016 下半年以来各大手机厂商RAM、Flash 容量纷纷升级，以苹果手机为例，iPhone7 Plus 起运行内存由 2GB 升至 3GB，苹果全线手机闪存最低配置由 16GB 升至 32GB，iPhone8 起闪存最低配置升至 64GB，最高至 256GB；安卓厂商则纷纷推出 6GB 运行内存机型，主流机型 64GB 闪存已较为寻常。PC 固态硬盘（SSD）相较机械硬盘（HDD）具有读写速度快、防震动、无噪音、轻薄、节能等一系列优点，SSD 取代 HDD 是未来趋势，当前限制因素主要是 SSD 成本偏高。2015 年 PC 市场 SSD 渗透率为 25%，2017 年已达 40%。云端方面，企业级 SSD 存储需求是重要成长点，应用包括视频安防、云端服务器等领域。以监控存储需求为例，每台 1080P 设备每天大概产生 40GB 的存储需求，每年达 14TB。云端服务器市场客户包括 Facebook、亚马逊(Amazon)、百度、阿里巴巴、Google 等，2017 年市场规模 1840万台。HDD 由于容量大、成本低目前仍是云端市场主流，约占 80%，中长期来看，随着 3DNAND 技术逐渐成熟，SSD 取代 HDD 速度或将加快，届时对 NAND Flash 需求或爆发，恐再次出现供不应求现象。预计 2017 年存储器市场同比增长 58%,销售额达 1220亿美元。

笔记本电脑 SSD 渗透率

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　　NANDFlash、DRAM 为存储器市场主力军，NORFlash 市场小但机会大。按照市场规模看，DRAM 约占存储器市场 53%，NANDFlash 约占存储器市场 42%，二者合计份额达95%，为存储器市场主要构成产品。2017 年 NAND Flash 销售额预计年增 44%，DRAM 销售额预计年增 74%，拉动作用极其明显。NOR Flash 主要机会在于市占率约 25%的赛普拉斯、市占率近 20%的美光陆续退出市场，而物联网、工控应用等市场需求依旧旺盛，对于现有玩家而言填补市场机会巨大。从长期角度来看，NANDFlash仍为未来市场主要方向。2020 年 NANDFlash 市场规模上看 650亿美元。

全球存储器产品结构（按销售额）

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图全球存储器销售额及年增率（百万美元）

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　　NAND Flash 存储价格上涨分化，部分产品短期价格有所回调。2017 年 Q1 至 Q3 NANDFlash 延续了 2016 年的涨势，2017 年初至 10 月 128GbMLC 涨幅达 44%。在大趋势上涨之下，自 2017Q3 开始，NAND Flash 部分产品价格涨势放缓并有所回调，其中 64GB MLC价格于 2017Q3 下降 8%左右。NANDFlash 下游嵌入式存储 eMMC 及 SSD 价格总体呈上涨趋势，Q3 以来同样呈微幅震荡态势。后期 NANDFlash 价格走势仍不明朗。

NAND Flash 价格（单位：美元）

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NAND Flash 下游嵌入式存储和 SSD 价格（单位：美元）

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　　NAND 存储器技术处于变革关键时间点，未来价格关注 3D 产能情况。NAND 存储器制程转换遭遇瓶颈，采用 3D 堆叠技术为主要解决方案。3D 产能目前三星投产率、良率最高，其 64 层 3D-NAND 三季度已进入量产阶段，3D 产出占投产量达 50%，其他厂商亦在 Q3 有所放量，粗略估计 2017Q3 全球新增产能超 20 万片/月，新增产能对 NAND Flash 供应紧缺的压力有所缓解。

　　同时，3D NAND Flash 存储密度高，单位容量成本低：据中国闪存市场网估计，3D NAND 技术下每 GB 成本约 0.1 美金，较 2D 结构至少低 30%。在 48 层 3D TLC架构下，1TB SSD 成本已低于 2D TLC 架构，3DNAND 较 2DNAND 更为经济。另一方面，NANDFlash 下游需求增长空间仍大：智能手机及 SSD 渗透率提升仍构成 NAND Flash 的巨大需求。供给产能的缓解与需求空间的提升对 NAND Flash 价格构成相反影响，未来价格变化依旧有待观察。

2017 年 NAND Flash 主要厂商产量（单位：万片）

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2017 年主要 Flash 原厂新增 3D NAND 投产规划

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2D 和 3D 1TB SSD 成本对比（单位：美元）

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　　DRAM 价格继续走强，维持上涨态势。DRAM 价格于 2017Q2 有所回调，2017Q3 后则继续维持 2016 年以来涨势，2017 年初至 10 月，DDR3 4G 1600MHz 价格上涨 25%左右。拉动 DRAM 价格上涨原因主要有：（1）需求端来看，终端云端需求不减：终端智能手机内存容量升级，云端服务器、数据中心的强劲需求均拉动 DRAM 需求的增长。（2）供给端来看，DRAM 厂产能增加有限：三大 DRAM 厂（三星、海力士、美光）产能增加空间已相当有限，接近满载，从产能规划来看，2018 年新增投片量仅约 5-7%，源于现有工厂产能的重新规划，资本支出倾向于保守，仅 SK 海力士决议在无锡兴建新厂，最快产能开出时间落在2019 年。需求供给两侧来看，预计 2018 年 DRAM 价格仍将维持上涨态势。

DRAM 价格（单位：美元）

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　　NORFlash 价格季涨 10%~15%，供不应求涨势延续。由于 NORFlash 市场较小，2016年以来 NORFlash 巨头美光及 Cypress 纷纷宣布淡出，退至较高端车用及工控市场，主要供应转入旺宏、华邦电、兆易创新等厂商，一时间供给不及需求，涨价幅度迅速扩大。由于芯片内执行的特性，NORFlash 尚无法被完全取代，未来市场机会较大。兆易创新目前全球NORFlash 市占率排名第六，与台厂采用 IDM 模式 8 寸和 12 寸晶圆产线均扩产谨慎不同，兆易创新采用 12 寸晶圆 Fabless 代工模式，主要代工厂从武汉新芯向中芯国际逐步转移，未来理论产能较为充足，大幅受益于产品价格上涨。

NORFlash 厂商市占率

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