MIT突破光刻技术极限 25nm工艺技术

      来自麻省理工学院(MIT)的研究人员们近日找到了通向25nm半导体工艺的路子，而且使用的仍是现在最常用的193nm深紫外(DUV)光刻技术。这也就是说，半导体厂商可以不必急于上马更昂贵、更复杂的13.5nm远紫外(EUV)光刻技术了。

　　DUV光刻技术从1995年开始使用，早在上世纪九十年代末就有人认为它将在2003年走到尽头，从100nm工艺开始就需要使用EUV光刻技术，而在技术人员们的努力下，现在的45nm工艺依然在使用DUV。Intel、IBM、AMD等也都在积极试验EUV技术，并已取得突破性进展，预计会在2013年转入16nm工艺的时候投入实用。

　　在IBM和Intel加足马力研究22nm工艺的时候，MIT的成就简单得有些难以置信。MIT的报告称，研究人员们已经成功使用干涉光刻技术(又称全息光刻)制造了25nm管道，同时光刻印刷过程不再是问题，最大的麻烦来自于原材料。在使用现有材料的情况下，管道侧壁的粗糙度已经无法很好地控制，也是进一步缩小工艺的最大障碍。

　　尽管如此，研究人员们依然对前景充满信心，认为“光刻技术仍有很大的发展空间，同时没有任何障碍是无法跨越的”。

　　最后再说说这其中用到的干涉光刻技术。这种技术的缺点是只能制造规则排列的图案，想用它生产任意形状图案的复杂芯片是不可能的；好处则是生产规则图案的速度非常快，事实上也有很多芯片使用的就是规则图案。MIT认为，他们的技术“将为下一代计算机存储器、集成电路芯片，以及高级太阳能电池等设备铺平道路”。看来MIT也清楚，这种新技术的应用范围很有限，想用来投产复杂的微处理器是不太可能的。