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2017年全球单、多晶未来格局分析
2017/7/6 18:10:10 来源:中国产业信息网 【字体:大 中 小】【收藏本页】【打印】【关闭】
核心提示:目前全球单晶格局若不考虑中国则单晶处于下降趋势,主要由于海外单晶组件价格长期高于多晶组件 0.06-0.1 美元/瓦,在性价比区间范围之外,随着 BOS 成本不断下降,海外单晶组件渗透率在不断下降。但是由于 2016 年以来单晶成本快速目前全球单晶格局若不考虑中国则单晶处于下降趋势,主要由于海外单晶组件价格长期高于多晶组件 0.06-0.1 美元/瓦,在性价比区间范围之外,随着 BOS 成本不断下降,海外单晶组件渗透率在不断下降。
但是由于 2016 年以来单晶成本快速下降,单晶的成本优势逐步凸显,未来单多晶组件价差将会缩小至 0.01-0.02 美元/瓦,性价比逐步凸显,未来占比必然逐渐上升;
1、多晶金刚线改造无法逆转单晶渗透率提升的趋势
单、多晶硅片主要差异在于长晶与铸锭环节,拉晶成本一直以来明显高于铸锭,所以单晶成本优势不明显,随着拉晶速度和工艺的不断成熟,拉晶的成本劣势已经逐步消失。而在目前的工艺水平下,单晶电池的转换效率比多晶电池转换效率高 1.5%,价格多晶转化效率为 20%,则单晶电池转换效率比多晶电池高 7.5%,按照目前多晶组件34 美分/瓦计算,7.5%的效率提升价值2.55 美分/瓦,单多晶之间除了拉晶有一定差异,则后端制造成本完全一致。
目前以隆基为代表单晶企业,将拉晶成本下降至 40-50 元/kg,即每瓦仅 1.9-2.3 美分/瓦,多晶即使完成金刚线和黑硅改造,成本优势依旧不明显。
单晶硅片非硅成本接近多晶硅片:2016年隆基非硅成本下降速度大大高于保利协鑫,成本约为 0.065 美元/W,与保利协鑫多晶硅片 0.065 美元/W非硅成本相同。
多晶硅片与单晶硅片成本与效率提升差异测算
数据来源:公开资料整理
2、海外单、多晶组件价差长期较大,单晶渗透率有待提升
海外单晶组件渗透率逐步下降:排除中国的因素,近年来海外市场单晶占比迅速下降至2016 年的 12%,远低于国内 27%的占比;日本季度装机单多晶格局也可看出单晶占比的下降趋势。
单、多晶组件价差较大,海外单晶性价比不明显:海外市场的单多晶组件价差保持在6-10 美分/W 左右波动保持动态平衡,随着 BOS(非组件成本)的下降,单晶组件性价比优势不明显。
国内价差缩小,推动单晶渗透率不断提升:国内装机 2014 年开始应用单晶组件,2015年与 2016 年由于隆基股份单晶硅片成本迅速下降,单晶组件价格仅高于多晶组件 0.1元/瓦,所以单晶组件在国内占比迅速由 5%上升至 27%。
单晶性价比未来将持续提升且高于单晶:单晶硅片在高效电池和薄片化领域有明显的应用优势。国内领先企业单晶硅片厚度年内可从190-200μm的水平逐步下降到 180μm,未来有望降至 150μm。而多晶硅片的易碎,不易弯折,在薄片化的应用上有先天的劣势。
在高效电池的应用上,目前所有已知的高效电池技术均已经成功应用于单晶硅片,高效记录保持者 IBC 和 HIT 技术均是采用单晶硅片,而多晶硅片由于晶体的不规则,所以导致了应用上确实存在难度。
海外单多晶占比变化(不考虑中国)
数据来源:公开资料整理
日本市场单多晶格局
数据来源:公开资料整理
海外单、多晶组件价格及其价差(单位: $/W)
数据来源:公开资料整理
国内单多晶组件价格及其价差(单位: $/W )
数据来源:公开资料整理
单晶电池效率整体高于多晶电池
数据来源:公开资料整理
最高效的电池技术均成功应用于单晶
数据来源:公开资料整理
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