三星加速制程微缩DRAM进入40纳米世代

        三星电子(SamsungElectronics)加速制程微缩，积极导入40纳米制程，第4季已开始小幅试产DDR3，预计2010年下半40纳米将成为主流制程，成本结构再度领先竞争同业，而美光 (Micron)阵营50纳米制程2010年大量产出，尔必达(Elpida)也将导入Extra 65纳米制程，之后跳40纳米制程，2010年全球DRAM产业成本进一步下滑。

        三星目前56纳米制程DRAM产能比重超过一半，并已开始小量采用新一代的40纳米制程生产DDR3芯片，成本结构再度领先同业，市调机构预估，年底前三星40纳米制程由于刚开始，因此产能比重还停在个位数，预计2010年第1季40纳米制程产能可超过10%。

        目前全球DRAM产业是4大阵营各占一方，虽然几乎没有新产能加入，但制程微缩和合作对象的改变，也牵动各厂版图风貌。

        以 2009年第3季全球市占率来看，三星电子仍是稳坐全球龙头，市占率超过30%，海力士(Hynix)市占率也超过20%，稳居二哥宝座，其次是尔必达和美光，两者合计策略联盟厂商，原本市占率相当接近，但尔必达市占率逐渐提升，拉开双方距离，然预计2010年各自导入新制程后，将会再有一番缠斗。

        相较于三星DRAM制程再度领先，海力士也将同步导入40纳米制程，而美光阵营包括南亚科和华亚科等，2010年将大量产出50纳米制程，由于华亚科整体13万片产能相当可观，预计2010年可协助美光阵营扩展市占率。

        再者，尔必达阵营也即将导入Extra 65纳米制程，在不用额外增添太多的资本支出下，维持成本下降的竞争力，业界也认为，尔必达Extra 65纳米制程的成本竞争力，其实不输海力士50纳米制程，加上2010年茂德为尔必达代工产能加入，也看好2010年尔必达的成长性。

        整体来看，三星目前仍是制程领先者，台厂原本两个世代制程，2010年可逐渐追上，2010年全球DRAM产业逐渐走向50/40纳米制程，驱动产业生产成本进一步下滑。