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高拓讯达芯片研发项目获科技部创新基金支持
2009/11/23 22:35:35 来源:中国产业发展研究网 【字体:大 中 小】【收藏本页】【打印】【关闭】
核心提示:高拓讯达芯片研发项目获科技部创新基金支持高拓讯达研发芯片续科委专项计划批准项目后,又获殊荣。日前,高拓讯达芯片研发项目获科技部创新基金支持,高拓讯达一流的研发能力再度得到认可。
自高拓讯达的单多融合解调芯片量产以来,得益于卓越的芯片架构和设计实现,在香港等地的实际使用中表现出了优异的稳定性以及对复杂多径的处理能力,被业界称为“唯一能够妥善解决单频网环境下地面波接收的多径环境接收专家”。随着高拓讯达单多融合解调芯片陆续被湖北京山、江西萍乡等地“钦点御用”,高拓讯达芯片对复杂多径优异的处理能力将不断被业界所认同。
正如早前高拓讯达首席执行官曾朝煌接收Global Sources 专访时所述:高拓讯达会持续关注抗多径干扰性能。我们预计,在2010年初,高拓讯达将推出第三版高性能芯片。
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