2016年中国光刻胶行业市场现状及发展前景分析

光刻胶是由光引发剂、树脂以及各类添加剂等化学品组成的对光敏感的感光性材料。光刻胶是电子化学品中技 术壁垒最高的材料，也是半导体集成电路生产制造的核心材料，光刻工艺的成本约为整个芯片制造工艺的 35%，并 且耗费时间约占整个芯片工艺的 40%-60%。光刻胶是一种有机物，它受紫外光曝光后，在显影液中的溶解度会发生 变化，在硅片制造中的主要作用是将掩模版图案转移到硅片表面，在刻蚀或离子注入阻挡层等工艺中起到保护下面 材料的作用。

光刻胶在集成电路制造工艺中的应用

光刻胶的产品类型及用途

全球光刻胶被几大巨头所垄断

目前，全球光刻胶市场规模为350亿元，其中我国市场规模在100亿元左右，目我国光刻胶消费量约1400吨，其中，国内低端产品产能约为300吨/年，高端产品主要依赖进口，对外依存度达80%。目前供应光刻胶的企业，大部分都由在半导体产业发展初期就开始参与市场的有机感光材料龙头企业所占据。国内生产光刻胶的主要企业有飞凯材料、北京化学试剂研究所、苏州瑞红、北京科华、无锡化工设计研究院等。国内光刻胶生产企业普遍规模较小、产品质量不高，与国外差距较大。预计未来随着国内企业技术的不断成熟和新建项目的陆续投产，光刻胶进口替代空间巨大。

我国光刻胶生产及市场规模情况

全球光刻胶市场规模持续增长，2014 年达到 70.2 亿美元。与全球市场相比，国内光刻胶市场规模增速更快，年均 复合增长率（CAGR）达到 16.7%，未来光刻胶市场需求依然保持快速增长。

国内光刻胶市场规模（亿元）

全球光刻胶市场份额

目前，我国光刻胶的主要厂商为北京科华和苏州瑞红。瑞红是苏州电子材料集团和日本 Zeon 公司及丸红公司于 1993 年成立的合资公司。两家公司技术储备比较相似，但产品侧重点不同。科华的光刻胶产品主要包括 IC 光刻胶、配套 试剂和平板显示光刻胶。

中国光刻胶厂商

目前，平板显示光刻胶的国产化比率较高，集成电路光刻胶的国产化比率较低。2011 年，国内半导体光刻胶及配套试剂的市场规模达到 23.2 亿元，但光刻胶的国产化比率仅为 11.7%。科华在 6 英寸以下晶圆制造的光刻胶占有的市 场份额较高，约为 20%；在 8 英寸晶圆制造领域，科华的产品开始进入市场；而在目前产能缺口最大的 12 英寸的 晶圆制造领域，科华目前还没有推出产品，但正在进行推广，目标客户为中芯国际。

我国光刻胶国产化现状

目前，我国半导体光刻胶使用量最大的为紫外正性光刻胶（I-线），市场使用量为 280 吨/年，销售额 2.12 亿元；其 次为深紫外光刻胶（ArF)，市场使用量为 160 吨，销售额为 5.1 亿元。目前国内生产的 IC 光刻胶以 G 线和 I 线光刻 胶为主，科华是第一个进入 KrF（248nm）光刻胶领域的国内厂商，并且已经通过中芯国际的认证，ArF（193nm） 光刻胶也仅有科华立项。

光刻技术与集成电路技术的关系

随着集成电路水平的不断发展，光刻技术也将逐步向下一代演进。由于减小曝光光源的波长可以提高分辨率，更短 波长的光刻技术是发展的趋势。193nm 浸入式光刻技术、极短紫外光刻技术(EUVL)、电子束光刻技术(EBL)、X 射 线光刻技术(XRL)，离子束投影光刻技术(IPL)都有可能成为下一代光刻技术，与之相对应的光刻胶称之为下一代光刻胶。

新型光刻技术

技术对国内光刻胶企业而言，是市场份额的拦路虎，还是 实现弯道超车的杀手锏，关键取决于国内企业的战略布局与研发水平。2014 年，北京科华、中科院化学所、苏州瑞 红、潍坊星泰克和徐州博康共同讨论并制定了中国光刻胶的发展路线图。

中国光刻胶技术发展路线图